IPI80N06S208AKSA2

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Parte di u fabricatore

IPI80N06S208AKSA2

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
IPI80N06S208AKSA2 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:80A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 58A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 150µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2860 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):215W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO262-3-1
  • pacchettu / casu:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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