Name: RQ3E180GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RQ3E180GNTB
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: RQ3E180GNTB

U fabricatore: ROHM Semiconductor

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 3000

Datasheets in linea: RQ3E180GNTB PDF

RQ3E180GNTB Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 18A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:22.4 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1520 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2W (Ta)
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-HSMT (3.2x3)
pacchettu / casu:8-PowerVDFN

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