PSMN1R5-30YL,115

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Parte di u fabricatore

PSMN1R5-30YL,115

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
211
Datasheets in linea
PSMN1R5-30YL,115 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.15V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:77.9 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:5057 pF @ 12 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):109W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:LFPAK56, Power-SO8
  • pacchettu / casu:SC-100, SOT-669
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