Name: SI3442BDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI3442BDV-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI3442BDV-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: SI3442BDV-T1-GE3 PDF

SI3442BDV-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:57mOhm @ 4A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1.8V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 4.5 V
vgs (max):±12V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:295 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):860mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-TSOP
pacchettu / casu:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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