Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK31J60W5,S1VQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TK31J60W5,S1VQ

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: TK31J60W5,S1VQ PDF

TK31J60W5,S1VQ Avvisu

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serie:DTMOSIV
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30.8A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.7V @ 1.5mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
funzione fet:Super Junction
dissipazione di putenza (max):230W (Tc)
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P(N)
pacchettu / casu:TO-3P-3, SC-65-3

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