BUK653R5-55C,127

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Parte di u fabricatore

BUK653R5-55C,127

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
PFET, 120A I(D), 55V, 0.0055OHM,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
4931
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:120A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 25A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:191 nC @ 10 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:11.516 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):263W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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