Name: BSZ088N03LSGATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSZ088N03LSGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSZ088N03LSGATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 6073

Datasheets in linea: BSZ088N03LSGATMA1 PDF

BSZ088N03LSGATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:12A (Ta), 40A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.1W (Ta), 35W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TSDSON-8
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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