Name: SIRA18DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIRA18DP-T1-RE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIRA18DP-T1-RE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: -

SIRA18DP-T1-RE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:33A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:21.5 nC @ 10 V
vgs (max):+20V, -16V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1000 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):14.7W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8
pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8

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