NTD3817N-35G

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Parte di u fabricatore

NTD3817N-35G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
15525
Datasheets in linea
NTD3817N-35G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):16 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:13.9mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:702 pF @ 12 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I-PAK
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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