FDFS2P103

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Parte di u fabricatore

FDFS2P103

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
29870
Datasheets in linea
FDFS2P103 PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.3A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:528 pF @ 15 V
  • funzione fet:Schottky Diode (Isolated)
  • dissipazione di putenza (max):900mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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