Name: FQU12N20TU
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQU12N20TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FQU12N20TU

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 20847

Datasheets in linea: FQU12N20TU PDF

FQU12N20TU Avvisu

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serie:QFET®
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:910 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I-PAK
pacchettu / casu:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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