Name: SIHB8N50D-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB8N50D-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIHB8N50D-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: SIHB8N50D-GE3 PDF

SIHB8N50D-GE3 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):500 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:8.7A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:850mOhm @ 4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:527 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):156W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263 (D²Pak)
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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