Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK7S10N1Z,LQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TK7S10N1Z,LQ

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: TK7S10N1Z,LQ PDF

TK7S10N1Z,LQ Avvisu

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serie:U-MOSVIII-H
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:48mOhm @ 3.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 100µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.1 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:470 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):50W (Tc)
temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK+
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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