RF4E060AJTCR

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Parte di u fabricatore

RF4E060AJTCR

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2950
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:37mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:HUML2020L8
  • pacchettu / casu:8-PowerUDFN
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