STD2HNK60Z

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Parte di u fabricatore

STD2HNK60Z

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
10000
Datasheets in linea
STD2HNK60Z PDF
Inchiesta
  • serie:SuperMESH™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:4.8Ohm @ 1A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:280 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):45W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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