RM2P60S2

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Parte di u fabricatore

RM2P60S2

U fabricatore
Rectron USA
Descrizzione
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.9A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:215mOhm @ 1.8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:358 pF @ 30 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.4W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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