RSJ650N10TL

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Parte di u fabricatore

RSJ650N10TL

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1139
Datasheets in linea
RSJ650N10TL PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:65A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:9.1mOhm @ 32.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:260 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10780 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):100W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:LPTS
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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