IRFD110PBF

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Parte di u fabricatore

IRFD110PBF

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2500
Datasheets in linea
IRFD110PBF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:540mOhm @ 600mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:8.3 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:180 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.3W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • pacchettu / casu:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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