Name: IPD5N25S3430ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD5N25S3430ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPD5N25S3430ATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 274362

Datasheets in linea: IPD5N25S3430ATMA1 PDF

IPD5N25S3430ATMA1 Avvisu

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serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):250 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:430mOhm @ 5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 13µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:6.2 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:422 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):41W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3-313
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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NTTFS4C06NTAG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN	In magazinu: 241283 In ordine: 241283	$0.92000