Name: SQJ457EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SQJ457EP-T1_GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SQJ457EP-T1_GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 31500

Datasheets in linea: SQJ457EP-T1_GE3 PDF

SQJ457EP-T1_GE3 Avvisu

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serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:36A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:3400 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):68W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8
pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SPA20N60C3 Rochester Electronics	MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111	In magazinu: 34500 In ordine: 34500	$11.00000