APTM120DA30T1G

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Parte di u fabricatore

APTM120DA30T1G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APTM120DA30T1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:31A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:360mOhm @ 25A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:560 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:14560 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):657W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SP1
  • pacchettu / casu:SP1
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