Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD90R1K2C3ATMA2
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPD90R1K2C3ATMA2

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: -

IPD90R1K2C3ATMA2 Avvisu

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serie:CoolMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):900 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.1A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 0.31mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:3.2 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:710 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):83W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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