BSS119NH6327XTSA1

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Parte di u fabricatore

BSS119NH6327XTSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
29581
Datasheets in linea
BSS119NH6327XTSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:190mA (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:6Ohm @ 190mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.3V @ 13µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:0.6 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:20.9 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):500mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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