EPC2035

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Parte di u fabricatore

EPC2035

U fabricatore
EPC
Descrizzione
GANFET N-CH 60V 1A DIE
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2506
Datasheets in linea
EPC2035 PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):5V
  • rds on (max) @ id, vgs:45mOhm @ 1A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 800µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:1.15 nC @ 5 V
  • vgs (max):+6V, -4V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:115 pF @ 30 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Die
  • pacchettu / casu:Die
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