TSM900N10CH X0G

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Parte di u fabricatore

TSM900N10CH X0G

U fabricatore
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
3575
Datasheets in linea
TSM900N10CH X0G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1480 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):50W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-251 (IPAK)
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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