IRF7807ZPBF

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Parte di u fabricatore

IRF7807ZPBF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
150000
Datasheets in linea
IRF7807ZPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:11A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:13.8mOhm @ 11A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.25V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:770 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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