TJ30S06M3L(T6L1,NQ

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Parte di u fabricatore

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
370000
Datasheets in linea
TJ30S06M3L(T6L1,NQ PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSVI
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:21.8mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
  • vgs (max):+10V, -20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3950 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):68W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK+
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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