VMO580-02F

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Parte di u fabricatore

VMO580-02F

U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
600
Datasheets in linea
VMO580-02F PDF
Inchiesta
  • serie:HiPerFET™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:580A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 430A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 50mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2750 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Y3-Li
  • pacchettu / casu:Y3-Li
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