IRFR9110

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Parte di u fabricatore

IRFR9110

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
13041
Datasheets in linea
IRFR9110 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.1A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 1.9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-PAK (TO-252AA)
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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