NVMFS6H818NWFT1G

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Parte di u fabricatore

NVMFS6H818NWFT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1500
Datasheets in linea
NVMFS6H818NWFT1G PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Ta), 123A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 190µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3100 pF @ 40 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN, 5 Leads
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