SI7655DN-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI7655DN-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
30378
Datasheets in linea
SI7655DN-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:40A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:225 nC @ 10 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:6600 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-50°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8S
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