NTD4809NA-35G

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Parte di u fabricatore

NTD4809NA-35G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2840
Datasheets in linea
NTD4809NA-35G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.6A (Ta), 58A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 11.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.456 pF @ 12 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I-PAK
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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