NTZS3151PT1G

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Parte di u fabricatore

NTZS3151PT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
20000
Datasheets in linea
NTZS3151PT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:860mA (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:150mOhm @ 950mA, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:458 pF @ 16 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):170mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-563
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
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