NVC6S5A354PLZT1G

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Parte di u fabricatore

NVC6S5A354PLZT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
10003000
Datasheets in linea
NVC6S5A354PLZT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 20 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.9W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-CPH
  • pacchettu / casu:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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