2N7002ET1G

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Parte di u fabricatore

2N7002ET1G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
44100
Datasheets in linea
2N7002ET1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:260mA (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:0.81 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:26.7 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):300mW (Tj)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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