SGB07N120ATMA1

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Parte di u fabricatore

SGB07N120ATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
SGB07N120ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Last Time Buy
  • tipu igbt:NPT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):16.5 A
  • current - collector pulsed (icm):27 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.6V @ 15V, 8A
  • putenza - max:125 W
  • scambià energia:1mJ
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:70 nC
  • td (on/off) @ 25°c:27ns/440ns
  • cundizione di prova:800V, 8A, 47Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO263-3-2
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