Name: NGTB30N120FL2WG
Brand: Rochester Electronics
SKU: NGTB30N120FL2WG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: NGTB30N120FL2WG

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 3694

Datasheets in linea: NGTB30N120FL2WG PDF

NGTB30N120FL2WG Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu igbt:Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
current - collector (ic) (max):60 A
current - collector pulsed (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 30A
putenza - max:452 W
scambià energia:2.6mJ (on), 700µJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:220 nC
td (on/off) @ 25°c:98ns/210ns
cundizione di prova:600V, 30A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):240 ns
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247

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