NGTB25N120FL2WAG

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Parte di u fabricatore

NGTB25N120FL2WAG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
4324
Datasheets in linea
NGTB25N120FL2WAG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
  • current - collector (ic) (max):100 A
  • current - collector pulsed (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 25A
  • putenza - max:385 W
  • scambià energia:990µJ (on), 660µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:181 nC
  • td (on/off) @ 25°c:17ns/113ns
  • cundizione di prova:600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):136 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-4
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-4L
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