HGTP7N60A4-F102

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Parte di u fabricatore

HGTP7N60A4-F102

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT, 600V, SMPS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
400
Datasheets in linea
HGTP7N60A4-F102 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):34 A
  • current - collector pulsed (icm):56 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 7A
  • putenza - max:125 W
  • scambià energia:55µJ (on), 150µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:60 nC
  • td (on/off) @ 25°c:11ns/100ns
  • cundizione di prova:390V, 7A, 25Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-220-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220-3
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