Name: HGT1S10N120BNST
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: HGT1S10N120BNST

U fabricatore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizzione: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 11655

Datasheets in linea: HGT1S10N120BNST PDF

HGT1S10N120BNST Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu igbt:NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
current - collector (ic) (max):35 A
current - collector pulsed (icm):80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
putenza - max:298 W
scambià energia:320µJ (on), 800µJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:100 nC
td (on/off) @ 25°c:23ns/165ns
cundizione di prova:960V, 10A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):-
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263AB

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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FGH60T65SHD-F155 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247	In magazinu: 1800 In ordine: 1800	$11.63900
IXXH150N60C3 Wickmann / Littelfuse	IGBT 600V TO247	In magazinu: 400 In ordine: 400	$10.00000
STGD4M65DF2 STMicroelectronics	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S	In magazinu: 3514867 In ordine: 3514867	$0.63030
STGW39NC60VD STMicroelectronics	IGBT 600V 80A 250W TO247	In magazinu: 2100 In ordine: 2100	$4.79000
STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics	IGBT 600V 40A 130W D2PAK	In magazinu: 9000 In ordine: 9000	$2.30531
IGW50N60T Rochester Electronics	IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT	In magazinu: 3240 In ordine: 3240	$70.00000
IXGQ85N33PCD1 Wickmann / Littelfuse	IGBT 330V 85A 150W TO3P	In magazinu: 600 In ordine: 600	$3.50000