STGW15M120DF3

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Parte di u fabricatore

STGW15M120DF3

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
IGBT 1200V 30A 259W
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
STGW15M120DF3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):30 A
  • current - collector pulsed (icm):60 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 15A
  • putenza - max:259 W
  • scambià energia:550µJ (on), 850µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:226 nC
  • td (on/off) @ 25°c:26ns/122ns
  • cundizione di prova:600V, 15A, 22Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):270 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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