STGP4M65DF2

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Parte di u fabricatore

STGP4M65DF2

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
STGP4M65DF2 PDF
Inchiesta
  • serie:M
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):8 A
  • current - collector pulsed (icm):16 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • putenza - max:68 W
  • scambià energia:40µJ (on), 136µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:15.2 nC
  • td (on/off) @ 25°c:12ns/86ns
  • cundizione di prova:400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):133 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-220-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB
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