Name: HGTG5N120BND
Brand: Rochester Electronics
SKU: HGTG5N120BND
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: HGTG5N120BND

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 1200

Datasheets in linea: HGTG5N120BND PDF

HGTG5N120BND Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu igbt:NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
current - collector (ic) (max):21 A
current - collector pulsed (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
putenza - max:167 W
scambià energia:450µJ (on), 390µJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:53 nC
td (on/off) @ 25°c:22ns/160ns
cundizione di prova:960V, 5A, 25Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):65 ns
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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