HGTG27N120BN

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Parte di u fabricatore

HGTG27N120BN

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
1000
Datasheets in linea
HGTG27N120BN PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Not For New Designs
  • tipu igbt:NPT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):72 A
  • current - collector pulsed (icm):216 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 27A
  • putenza - max:500 W
  • scambià energia:2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:270 nC
  • td (on/off) @ 25°c:24ns/195ns
  • cundizione di prova:960V, 27A, 3Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
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