MGD623N

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Parte di u fabricatore

MGD623N

U fabricatore
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrizzione
IGBT 600V 50A 150W TO3P
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
MGD623N PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):50 A
  • current - collector pulsed (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • putenza - max:150 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:-
  • td (on/off) @ 25°c:75ns/300ns
  • cundizione di prova:300V, 50A, 39Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):300 ns
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-3P-3 Full Pack
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P
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