NE3520S03-T1C-A

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Parte di u fabricatore

NE3520S03-T1C-A

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
2100
Datasheets in linea
NE3520S03-T1C-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:HFET
  • frequenza:20GHz
  • guadagnà:13.5dB
  • tensione - prova:2 V
  • valutazione attuale (ampere):70mA
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:-
  • putenza - output:-
  • voltage - valutatu:4 V
  • pacchettu / casu:4-SMD, Flat Leads
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:4-SMD
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