2SK879-Y(TE85L,F)

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Parte di u fabricatore

2SK879-Y(TE85L,F)

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
JFET N-CH 0.1W USM
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - jfets
Serie
-
In magazinu
444
Datasheets in linea
2SK879-Y(TE85L,F) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • voltage - breakdown (v(br)gss):-
  • drain à a tensione di fonte (vdss):-
  • current - drain (idss) @ vds (vgs=0):1.2 mA @ 10 V
  • purga di corrente (id) - max:-
  • voltage - cutoff (vgs off) @ id:400 mV @ 100 nA
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:8.2pF @ 10V
  • resistenza - rds (on):-
  • putenza - max:100 mW
  • temperatura di funziunamentu:125°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-70, SOT-323
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:USM
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