Name: BSC150N03LDGATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC150N03LDGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSC150N03LDGATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 16775

Datasheets in linea: BSC150N03LDGATMA1 PDF

BSC150N03LDGATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):30V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:8A
rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 20A, 10V

vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:13.2nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1100pF @ 15V
putenza - max:26W
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:8-PowerVDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-4

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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DMN1029UFDB-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN	In magazinu: 0	$0.48000