FDMS3606AS

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Parte di u fabricatore

FDMS3606AS

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FDMS3606AS PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:13A, 27A
  • rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 13A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.7V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:29nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1695pF @ 15V
  • putenza - max:1W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Power56
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