ALD212914PAL

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Parte di u fabricatore

ALD212914PAL

U fabricatore
Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:EPAD®, Zero Threshold™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):10.6V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:80mA
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs (th) (max) @ id:20mV @ 10µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:500mW
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PDIP
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